Semiconductores - Discretos

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BSS84PH6327XTSA2
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1056526

INFINEON

Transistor MOSFET, Canal P, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

MOSFET, P, -60V, -0.17A, SOT-23; Polaridad de Transistor:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-170mA; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):8ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:-1.5V; Di

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IRLML6344TRPBF
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1857299

INFINEON

Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 30 V, 22 mohm, 4.5 V, 800 mV

MOSFET, N CH, 30V, 5A, SOT23; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:5A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):22mohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):4.5V; Tensión Umbral Vgs:800mV; Disipaci

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    2443491

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    Transistor de Unión Bipolar Único, 50 V

    DIGITAL TRANS, 50V, 10K/47K, SOT-23-3; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:50V; Número de Pines:3Pines; Rango de Producto:-; Estándar de Certificación para Automoción:AEC-Q101; Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):MSL 1 - Ilimitado; Sustancia Extremadam

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    2432717

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V

    PEQUEÑA SEÑAL +P-CH; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:230mA; Tensión Drenador-Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):2.2ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:1V; Disipación de Pote

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    2725760

    INFINEON

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODO, SCHOTTKY, AEC-Q101, 30V, SOT-23; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:30V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:800mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:600mA; Temperatura de Trabajo Máx.:150°

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    2725757

    INFINEON

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODO, SCHOTTKY, AEC-Q101, 30V, SC-79; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:30V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:800mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:600mA; Temperatura de Trabajo Máx.:150°C

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    2725759

    INFINEON

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Cátodo Común Doble, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODO, SCHOTTKY, AEC-Q101, 30V, SOT-23; Configuración de Diodo:Cátodo Común Doble; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:30V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:800mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:600mA; Temperatura de Trab

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    2725758

    INFINEON

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODO, SCHOTTKY, AEC-Q101, 30V, SOD-323; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:30V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:800mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:600mA; Temperatura de Trabajo Máx.:150

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    2617469

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

    MOSFET, CANAL P, -20V, -0.39A, SOT-323-3; Polaridad de Transistor:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-390mA; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-20V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.7ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral V

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    2443489

    INFINEON

    Transistor de Unión Bipolar Único, 50 V

    DIGITAL TRANS, 50V, 4.7K/4.7K, SOT-23-3; Polaridad de Transistor:-; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:50V; Frecuencia de Transición ft:-; Disipación de Potencia Pd:-; Corriente de Colector DC:-; Ganancia de Corriente DC hFE:-; Diseño de Transistor:-; Núme

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    2443474

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Resistencias de Polarización Integradas (BRT), Canal N, 300 mA, 60 V, 1.6 ohm

    MOSFET, N CH, 60V, 0.3A, SOT-23-3; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:300mA; Tensión Drenador-Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):1.6ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2.1V; Di

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    1831089

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -3.6 A, -30 V, 0.051 ohm, -10 V, -1.3 V

    MOSFET & DIODE, P CH, 30V, 3.6A, SOT23; Polaridad de Transistor:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-3.6A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.051ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs

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    IRF3708PBF
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    8648158

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, N, 30V, 62A, TO-220; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:62A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):12mohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2V; Disipación d

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    IRFML8244TRPBF
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    1857298

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 5.8 A, 25 V, 20 mohm, 10 V, 1.7 V

    MOSFET,N CH,25V,5.7A,SOT23; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:5.8A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):25V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):20mohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:1.7V; Disipación

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    IRLML0100TRPBF
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    1783928

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V

    MOSFET, N CH, 100V, 1,6A, SOT-23; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.6A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):100V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.178ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2.5V; D

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    BAT6404E6327HTSA1
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    2432680

    INFINEON

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, AEC-Q101, Serie Par Simple, 40 V, 120 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C

    RECTIFICAD, SCHOTTKY, 0.12A, 40V, SOT-23; Configuración de Diodo:Serie Par Simple; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:40V; Corriente Directa If(AV):120mA; Tensión Directa VF Máx.:750mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:800mA; Temperatura de Trab

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    IRLML9303TRPBF
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    1831090

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -2.3 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.3 V

    MOSFET & DIODE,P CH,30V,2.3A,SOT23; Polaridad de Transistor:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-2.3A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.135ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:-1.

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    BFR193WH6327XTSA1
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    2726103

    INFINEON

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

    TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-323; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:12V; Frecuencia de Transición ft:8GHz; Disipación de Potencia Pd:580mW; Corriente de Colector DC:80mA; Ganancia de Corriente DC hFE:70hFE; Encapsulado d

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    BSS308PEH6327XTSA1
    BSS308PEH6327XTSA1

    2432719

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V

    PEQUEÑA SEÑAL +P-CH; Polaridad de Transistor:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-2A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.062ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:-1.5V; Disipación de

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    BAT60AE6327HTSA1
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    2432679

    INFINEON

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, AEC-Q101, Único, 10 V, 3 A, 370 mV, 5 A, 85 °C

    RECTIFICADOR, SCHOTTKY, 3A, 10V, SOD-323; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:10V; Corriente Directa If(AV):3A; Tensión Directa VF Máx.:370mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:5A; Temperatura de Trabajo Máx.:85°C; Es

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    8660093

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    Transistor MOSFET, Canal P, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV

    MOSFET, P, -12V, -4.3A, MICRO 3; Polaridad de Transistor:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-4.3A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-12V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):50mohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral Vgs:-550mV;

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    1791366

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V

    MOSFET, N CH, 30V, 5.3A, SOT23-3; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:5.3A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.022ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:1.7V; Di

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    2432720

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V

    PEQUEÑA SEÑAL +P-CH; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.4A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.119ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:1.6V; Disipación de P

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    1791568

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V

    MOSFET, N CH, 30V, 2.7A, SOT-23; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:2.7A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.08ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:1.7V; Disi

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    1857300

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 3.4 A, 30 V, 0.046 ohm, 4.5 V, 800 mV

    MOSFET, N CH, 30V, 3,4A, SOT23; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3.4A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.046ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):4.5V; Tensión Umbral Vgs:800mV; Di

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