Semiconductores - Discretos

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BSS84PH6327XTSA2
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1056526

INFINEON

Transistor MOSFET, Canal P, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

MOSFET, P, -60V, -0.17A, SOT-23; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-170mA; Tensión Drenador/Fuente (Vds):-60V; Resistencia en Estado ON (Rds):8ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:-1.5V; Disipación de

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    BSS138NH6327XTSA2
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    2432717

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V

    PEQUEÑA SEÑAL +P-CH; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:230mA; Tensión Drenador/Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado ON (Rds):2.2ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:1V; Disipación de Potencia Pd:360

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    BA89202VH6327XTSA1
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    2725715

    INFINEON

    Diodo Pin / de RF, Único, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pines, 0.85 pF

    DIODO PIN, AECQ101, 35V, 0.1A, SC-79; Configuración de Diodo:Único; Resistencia @ If:0.36ohm; Tensión de Ruptura (Vbr):35V; Estilo de la Carcasa del Diodo:SC-79; Núm. de Pines:2 Pines; Capacidad Total Ct:0.85pF; Corriente Directa If(AV):100mA; Encapsulad

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    IRLML6402TRPBF
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    9103503

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -3.7 A, -20 V, 65 mohm, -4.5 V, -550 mV

    MOSFET, P CH, 20V, 3.7A, SOT-23; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-3.7A; Tensión Drenador/Fuente (Vds):-20V; Resistencia en Estado ON (Rds):65mohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral Vgs:-550mV; Disipación

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    BAT5403WE6327HTSA1
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    2725758

    INFINEON

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODO, SCHOTTKY, AEC-Q101, 30V, SOD-323; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:30V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:800mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:600mA; Temperatura de Trabajo Máx.:15

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    BCR112E6327HTSA1
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    2443489

    INFINEON

    Transistor de Unión Bipolar Único, 50 V

    DIGITAL TRANS, 50V, 4.7K/4.7K, SOT-23-3; Transistor, Polaridad:-; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:50V; Frecuencia de Transición ft:-; Disipación de Potencia Pd:-; Corriente de Colector DC:-; Ganancia de Corriente DC hFE:-; Diseño de Transistor:-; Núm. d

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    2617469

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

    MOSFET, CANAL P, -20V, -0.39A, SOT-323-3; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-390mA; Tensión Drenador/Fuente (Vds):-20V; Resistencia en Estado ON (Rds):0.7ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral Vgs:-900mV;

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    BB639CE7904HTSA1
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    2480615

    INFINEON

    Diodo de Capacitancia Variable, 2.75 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pines

    DIODO, VARICAP, 2.75PF, 0.02A, SOD-323; Capacidad Cd Max a Vr F:2.75pF; Corriente Directa If(AV):20mA; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:30V; Temperatura de Trabajo Máx.:150°C; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOD-323; Núm. de Pines:2 Pines; Encapsulad

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    1857299

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 30 V, 22 mohm, 4.5 V, 800 mV

    MOSFET, N CH, 30V, 5A, SOT23; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:5A; Tensión Drenador/Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado ON (Rds):22mohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):4.5V; Tensión Umbral Vgs:800mV; Disipación de Poten

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    BSS316NH6327XTSA1
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    2432720

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V

    PEQUEÑA SEÑAL +P-CH; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.4A; Tensión Drenador/Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado ON (Rds):0.119ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:1.6V; Disipación de Potencia Pd:

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    IRF3708PBF
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    8648158

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, N, 30V, 62A, TO-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:62A; Tensión Drenador/Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado ON (Rds):12mohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2V; Disipación de Potencia

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    BAS4007E6327HTSA1
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    2725748

    INFINEON

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Aislado Doble, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C

    DIODO, SCHOTTKY, AEC-Q101, 40V, SOT-143; Configuración de Diodo:Aislado Doble; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:40V; Corriente Directa If(AV):120mA; Tensión Directa VF Máx.:1V; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:200mA; Temperatura de Trabajo Má

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    BAS3010A03WE6327HTSA1
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    2432677

    INFINEON

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, AEC-Q101, Único, 30 V, 1 A, 470 mV, 10 A, 125 °C

    DIODOS SHOTTKY AF; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:30V; Corriente Directa If(AV):1A; Tensión Directa VF Máx.:470mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:10A; Temperatura de Trabajo Máx.:125°C; Estilo de la Carcasa d

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    IRLML6244TRPBF
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    1864517

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V

    MOSFET, N CH, 20V, 6,3A, SOT-23; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:6.3A; Tensión Drenador/Fuente (Vds):20V; Resistencia en Estado ON (Rds):21mohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):4.5V; Tensión Umbral Vgs:0.9V; Disipación de P

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    IRLML0060TRPBF
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    1783927

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V

    MOSFET, N CH, 60V, 2.7A, SOT-23; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:2.7A; Tensión Drenador/Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado ON (Rds):0.078ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2.5V; Disipación de

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    BSS83PH6327XTSA1
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    2432722

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V

    PEQUEÑA SEÑAL +P-CH; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-330mA; Tensión Drenador/Fuente (Vds):-60V; Resistencia en Estado ON (Rds):1.4ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:-1.5V; Disipación de Potencia

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    BFP183E7764HTSA1
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    2726095

    INFINEON

    RF TRANSISTOR

    RF TRANSISTOR; Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):MSL 1 - Ilimitado; Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017)

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    BFR193WH6327XTSA1
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    2726103

    INFINEON

    RF TRANSISTOR, HIGH LINEARITY SI-6GHZ

    RF TRANSISTOR, HIGH LINEARITY SI-6GHZ; Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):MSL 1 - Ilimitado; Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017)

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    IRLML2803PBF
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    9102701

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 850 mA, 30 V, 300 mohm, 10 V, 1 V

    MOSFET, N, LÓGICA, SOT-23; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:850mA; Tensión Drenador/Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado ON (Rds):300mohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:1V; Disipación de Potencia

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    BGX50AE6327HTSA1
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    2432683

    INFINEON

    Diodo Rectificador de Puente, AEC-Q101, Simple, 50 V, 140 mA, SOT-143, 1.3 V, 4 Pines

    BRIDGE RECT, SINGLE, 0.14A, 50V, SOT-143; No. de Fases:Simple; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:50V; Corriente Directa If(AV):140mA; Tipo de Rectificador de Puente:SOT-143; Tensión Directa VF Máx.:1.3V; Núm. de Contactos Macho:4Pines; Temperatura de

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    IRLML6401TRPBF
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    1463267

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

    MOSFET, P, MICRO3; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-4.3A; Tensión Drenador/Fuente (Vds):-12V; Resistencia en Estado ON (Rds):0.05ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral Vgs:-550mV; Disipación de Potencia

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    IRLML6401PBF
    IRLML6401PBF

    8660093

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV

    MOSFET, P, -12V, -4.3A, MICRO 3; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-4.3A; Tensión Drenador/Fuente (Vds):-12V; Resistencia en Estado ON (Rds):50mohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral Vgs:-550mV; Disipación

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    2443504

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    Diodo Pin / de RF, AEC-Q101, Único, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pines, 0.3 pF

    DIODE, RF, 0.3PF, 80V, SC-79; Configuración de Diodo:Único; Resistencia @ If:0.6ohm; Tensión de Ruptura (Vbr):80V; Estilo de la Carcasa del Diodo:SC-79; Núm. de Pines:2 Pines; Capacidad Total Ct:0.3pF; Corriente Directa If(AV):100mA; Encapsulado:Cinta Co

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    TV AND SAT TUNER DIODES

    TV AND SAT TUNER DIODES; Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017); Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):MSL 1 - Ilimitado

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    1831088

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    Transistor MOSFET, Canal N, 3.6 A, 40 V, 0.044 ohm, 10 V, 1.8 V

    MOSFET & DIODE,N CH,40V,3.6A,SOT23; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3.6A; Tensión Drenador/Fuente (Vds):40V; Resistencia en Estado ON (Rds):0.044ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:1.8V; Disipación

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