Semiconductores - Discretos

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BFS17A
BFS17A

1081302

NXP

Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 2.8 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

TRANSISTOR RF, NPN, SOT-23; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:2.8GHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:25mA; Ganancia de Corriente DC hFE:90hFE; Encapsulado de Transistor

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    BF862,215
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    1758058

    NXP

    Transistor JFET, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET

    JET, N CH, 20V, SOT-23; Tensión de Ruptura (Vbr):-20V; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:10mA; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:25mA; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:-1.2V; Diseño de Transistor:SOT-23; Tipo de Tran

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    BF545C,215
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    1758055

    NXP

    Transistor FET de RF, 30 V, 13 mA, 250 mW, SOT-23

    JFET, CANAL N, 30V, SOT-23; Tensión Drenador/Fuente (Vds):30V; Intensidad Drenador Continua Id:13mA; Disipación de Potencia Pd:250mW; Frecuencia de Funcionamiento Mín.:-; Frecuencia Máx. de Funcionamiento:-; Encapsulado de Transistor RF:SOT-23; Núm. de C

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    BF545B
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    1349656

    NXP

    Transistor JFET, JFET, 30 V, 6 mA, 15 mA, 7.5 V, SOT-23, JFET

    TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23; Tensión de Ruptura (Vbr):30V; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:6mA; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:15mA; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:7.5V; Diseño de Transistor:SOT-23; Tipo d

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    BFR540
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    1081295

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

    RF TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:9GHz; Disipación de Potencia Pd:500mW; Corriente de Colector DC:120mA; Ganancia de Corriente DC hFE:120hFE; Encapsulado de Transistor

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    PHD13003C
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    1859374

    NXP

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 400 V, 2.1 W, 1.5 A, 17 hFE

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    TRANSISTOR, DIODO, NPN, 400V, 1,5A, TO92; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:400V; Frecuencia de Transición ft:-; Disipación de Potencia Pd:2.1W; Corriente de Colector DC:1.5A; Ganancia de Corriente DC hFE:17hFE; Diseño de Transi

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    BF861B,215
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    1758057

    NXP

    Transistor JFET, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

    JET, N CH, 25V, SOT-23; Tensión de Ruptura (Vbr):-25V; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:6mA; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:15mA; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:-1.5V; Diseño de Transistor:SOT-23; Tipo de Trans

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    BFS17
    BFS17

    1081301

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    TRANSISTOR RF, NPN, SOT-23; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:1GHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:25mA; Ganancia de Corriente DC hFE:90hFE; Encapsulado de Transistor R

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    PMBFJ112
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    1349667

    NXP

    Transistor JFET, JFET, 40 V, 5 mA, 3 V, SOT-23, JFET

    TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23; Tensión de Ruptura (Vbr):40V; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:5mA; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:-; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:3V; Diseño de Transistor:SOT-23; Tipo de Tra

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    BT149D
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    1081323

    NXP

    Tiristor, 400 V, 200 µA, 0.5 A, 0.8 A, TO-92, 3 Pines

    Disponible hasta que se agoten las existencias

    TIRISTOR, 0,8A, 400V, TO-92; Tensión Máxima de Apagado Repetitiva, Vdrm:400V; Corriente de Trigger de la Compuerta Máx., Igt:200µA; Corriente It Promedio:0.5A; Corriente RMS de Encendido IT(rms):0.8A; Diseño del Tiristor:TO-92; Núm. de Contactos Macho:3P

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    Z0107MN,135
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    1757889

    NXP

    Triac, 600 V, 1 A, SOT-223, 5 mA, 1.3 V, 2 W

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    TRIAC 600V 1A SOT-223; Tensión Máxima de Apagado Repetitiva, Vdrm:600V; Corriente RMS de Encendido IT(rms):1A; Modelo de Triac:SOT-223; Corriente de Trigger Compuerta Máx. (QI), Igt:5mA; Corriente de Trigger de la Compuerta Máx. Vgt:1.3V; Potencia de Pic

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    Z0107NA
    Z0107NA

    2074998

    NXP

    Triac, 800 V, 1 A, TO-92, 7 mA, 1.3 V, 2 W

    Disponible hasta que se agoten las existencias

    TRIAC, 4Q, 1A, 800V, TO92; Tensión Máxima de Apagado Repetitiva, Vdrm:800V; Corriente RMS de Encendido IT(rms):1A; Modelo de Triac:TO-92; Corriente de Trigger Compuerta Máx. (QI), Igt:7mA; Corriente de Trigger de la Compuerta Máx. Vgt:1.3V; Potencia de P

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    BAP64-02,115
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    1757789

    NXP

    Diodo Pin / de RF, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 Pines, 0.35 pF

    DIODO, PIN, 175V, 0,1A, SOD-523; Configuración de Diodo:Único; Resistencia @ If:0.7ohm; Tensión de Ruptura (Vbr):175V; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOD-523; Núm. de Pines:2 Pines; Capacidad Total Ct:0.35pF; Corriente Directa If(AV):100mA; Encapsulado:C

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    PMBFJ175,215
    PMBFJ175,215

    1758136

    NXP

    Transistor JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET

    JFET, P CH, 30V, 0,03A, SOT23; Tensión de Ruptura (Vbr):30V; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:7mA; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:70mA; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:6V; Diseño de Transistor:SOT-23; Tipo de Tr

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    BF904
    BF904

    1349657

    NXP

    Transistor FET de RF, 7 V, 30 mA, 200 mW, 40 MHz, 3 GHz, SOT-143B

    MOSFET, DUAL GATE, N CH, RF, SOT-143; Tensión Drenador/Fuente (Vds):7V; Intensidad Drenador Continua Id:30mA; Disipación de Potencia Pd:200mW; Frecuencia de Funcionamiento Mín.:40MHz; Frecuencia Máx. de Funcionamiento:3GHz; Encapsulado de Transistor RF:S

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    BFT25
    BFT25

    1081304

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR RF, NPN, SOT-23; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:5V; Frecuencia de Transición ft:2.3GHz; Disipación de Potencia Pd:30mW; Corriente de Colector DC:6.5mA; Ganancia de Corriente DC hFE:40hFE; Encapsulado de Transistor

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    BFR106
    BFR106

    1081293

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE

    TRANSISTOR RF, NPN, SOT-23; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:5GHz; Disipación de Potencia Pd:500mW; Corriente de Colector DC:100mA; Ganancia de Corriente DC hFE:80hFE; Encapsulado de Transistor

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    Z0103MA0
    Z0103MA0

    2074992

    NXP

    Triac, 600 V, 1 A, TO-92, 3 mA, 1.3 V, 2 W

    Disponible hasta que se agoten las existencias

    TRIAC, 4Q, 1A, 600V, TO92; Tensión Máxima de Apagado Repetitiva, Vdrm:600V; Corriente RMS de Encendido IT(rms):1A; Modelo de Triac:TO-92; Corriente de Trigger Compuerta Máx. (QI), Igt:3mA; Corriente de Trigger de la Compuerta Máx. Vgt:1.3V; Potencia de P

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    BFM520,115
    BFM520,115

    1758050

    NXP

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN Doble, 8 V, 9 GHz, 1 W, 70 mA, 120 hFE

    TRANS NPN DUAL 70MA 8V SOT363; Transistor, Polaridad:NPN Doble; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:8V; Frecuencia de Transición ft:9GHz; Disipación de Potencia Pd:1W; Corriente de Colector DC:70mA; Ganancia de Corriente DC hFE:120hFE; Diseño de Transistor:

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    BFT46
    BFT46

    1081306

    NXP

    Transistor JFET, JFET, 200 µA, 1.5 mA, 2 V, SOT-23, JFET

    TRANSISTOR, JFET, N, SOT-23; Tensión de Ruptura (Vbr):-; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:200µA; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:1.5mA; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:2V; Diseño de Transistor:SOT-23; Tipo de Tra

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    BFT92
    BFT92

    1349662

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, PNP, 15 V, 5 GHz, 300 mW, -25 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR, PNP, 5 GHZ, SOT-23; Transistor, Polaridad:PNP; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:5GHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:-25mA; Ganancia de Corriente DC hFE:50hFE; Encapsulado de Transis

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    1349658

    NXP

    Transistor FET de RF, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B

    MOSFET, DUAL GATE, N CH, SOT143B; Tensión Drenador/Fuente (Vds):20V; Intensidad Drenador Continua Id:20mA; Disipación de Potencia Pd:200mW; Frecuencia de Funcionamiento Mín.:-; Frecuencia Máx. de Funcionamiento:-; Encapsulado de Transistor RF:SOT-143B; N

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    1758063

    NXP

    Transistor JFET, JFET, 30 V, 2 mA, 35 mA, 4 V, SOT-23, JFET

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    JET, P CH, 30V, SOT-23; Tensión de Ruptura (Vbr):30V; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:2mA; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:35mA; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:4V; Diseño de Transistor:SOT-23; Tipo de Transisto

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    2074994

    NXP

    Triac, 800 V, 1 A, TO-92, 5 mA, 1.3 V, 2 W

    Disponible hasta que se agoten las existencias

    TRIAC, 4Q, 1A, 800V, TO92; Tensión Máxima de Apagado Repetitiva, Vdrm:800V; Corriente RMS de Encendido IT(rms):1A; Modelo de Triac:TO-92; Corriente de Trigger Compuerta Máx. (QI), Igt:5mA; Corriente de Trigger de la Compuerta Máx. Vgt:1.3V; Potencia de P

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    PMBFJ109,215
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    1758060

    NXP

    Transistor JFET, JFET, -25 V, 40 mA, -2 V, SOT-23

    JET, N CH, 25V, SOT-23; Tensión de Ruptura (Vbr):-25V; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:-; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:40mA; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:-2V; Diseño de Transistor:SOT-23; Tipo de Transisto

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