Semiconductores - Discretos

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BF862,215
BF862,215

1758058

NXP

Transistor JFET, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET

JET, N CH, 20V, SOT-23; Tensión de Ruptura (Vbr):-20V; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:10mA; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:25mA; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:-1.2V; Encapsulado del Transistor:SOT-23; Tipo d

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    1081302

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 2.8 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    TRANSISTOR RF, NPN, SOT-23; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:2.8GHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:25mA; Ganancia de Corriente DC hFE:90hFE; Encapsulado del Transis

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    BF545C,215
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    1758055

    NXP

    Transistor FET de RF, 30 V, 13 mA, 250 mW, SOT-23

    JFET, CANAL N, 30V, SOT-23; Tensión Drenador-Fuente (Vds):30V; Intensidad Drenador Continua Id:13mA; Disipación de Potencia Pd:250mW; Frecuencia de Funcionamiento Mín.:-; Frecuencia Máx. de Funcionamiento:-; Encapsulado del Transistor RF:SOT-23; Número d

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    BFT93
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    1097184

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, PNP, 12 V, 5 GHz, 300 mW, -35 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR RF, PNP, SOT-23; Polaridad de Transistor:PNP; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:12V; Frecuencia de Transición ft:5GHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:-35mA; Ganancia de Corriente DC hFE:50hFE; Encapsulado del Transist

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    BFR31
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    1758134

    NXP

    Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

    JFET, N CH, 25V, 0,005A, SOT-23; Tensión de Ruptura (Vbr):-; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:1mA; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:5mA; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:-2.5V; Diseño de Transistor:SOT-23; Tipo de

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    BB201,215
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    1757785

    NXP

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23

    DIODO, VAR, CAP, DUAL, 15V, SOT-23; Capacidad Cd Max a Vr F:102pF; Corriente Directa If(AV):20mA; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:15V; Temperatura de Trabajo Máx.:125°C; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOT-23; Núm. de Pines:3 Pines; Empaquetado:Cinta

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    BF991
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    1349658

    NXP

    Transistor FET de RF, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B

    MOSFET, DUAL GATE, N CH, SOT143B; Tensión Drenador-Fuente (Vds):20V; Intensidad Drenador Continua Id:20mA; Disipación de Potencia Pd:200mW; Frecuencia de Funcionamiento Mín.:-; Frecuencia Máx. de Funcionamiento:-; Encapsulado de Transistor RF:SOT-143B; N

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    BFR540
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    1081295

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

    RF TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:9GHz; Disipación de Potencia Pd:500mW; Corriente de Colector DC:120mA; Ganancia de Corriente DC hFE:120hFE; Encapsulado del Transis

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    PMBFJ109,215
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    1758060

    NXP

    Transistor JFET, JFET, -25 V, 40 mA, -2 V, SOT-23

    JET, N CH, 25V, SOT-23; Tensión de Ruptura (Vbr):-25V; Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:-; Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula:40mA; Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente:-2V; Encapsulado del Transistor:SOT-23; Tipo de Tra

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    BAP64-03,115
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    1757790

    NXP

    Diodo Pin / de RF, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-323, 2 Pines, 0.35 pF

    DIODO, PIN, 175V, 0,1A, SOD-323; Configuración de Diodo:Único; Resistencia a Corriente If:0.7ohm; Tensión de Ruptura (Vbr):175V; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOD-323; Núm. de Pines:2 Pines; Capacidad Total Ct:0.35pF; Corriente Directa If(AV):100mA; Emp

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    BFM520,115
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    1758050

    NXP

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN Doble, 8 V, 9 GHz, 1 W, 70 mA, 120 hFE

    TRANS NPN DUAL 70MA 8V SOT363; Polaridad de Transistor:NPN Doble; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:8V; Frecuencia de Transición ft:9GHz; Disipación de Potencia Pd:1W; Corriente de Colector DC:70mA; Ganancia de Corriente DC hFE:120hFE; Encapsulado del Tra

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    BAP65-03,115
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    1757792

    NXP

    Diodo Pin / de RF, Único, 0.35 ohm, 30 V, SOD-323, 2 Pines, 0.375 pF

    DIODO, PIN, 30V, 0,1A, SOD-323; Configuración de Diodo:Único; Resistencia a Corriente If:0.35ohm; Tensión de Ruptura (Vbr):30V; Encapsulado del Diodo:SOD-323; Núm. de Pines:2 Pines; Capacidad Total Ct:0.375pF; Corriente Directa If(AV):100mA; Empaquetado:

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    1081293

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE

    TRANSISTOR RF, NPN, SOT-23; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:5GHz; Disipación de Potencia Pd:500mW; Corriente de Colector DC:100mA; Ganancia de Corriente DC hFE:80hFE; Encapsulado de Transisto

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    BFT92
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    1349662

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, PNP, 15 V, 5 GHz, 300 mW, -25 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR, PNP, 5 GHZ, SOT-23; Polaridad de Transistor:PNP; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:5GHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:-25mA; Ganancia de Corriente DC hFE:50hFE; Encapsulado del Tran

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    BFS17
    BFS17

    1081301

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    TRANSISTOR RF, NPN, SOT-23; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:1GHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:25mA; Ganancia de Corriente DC hFE:90hFE; Encapsulado del Transisto

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    BFR520
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    1081294

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR RF, NPN, SOT-23; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:9GHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:70mA; Ganancia de Corriente DC hFE:120hFE; Encapsulado de Transisto

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    BFR93A
    BFR93A

    1081300

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 35 mA, 90 hFE

    TRANSISTOR, RF, NPN, 12V, 35MA, SOT-23; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:12V; Frecuencia de Transición ft:6GHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:35mA; Ganancia de Corriente DC hFE:90hFE; Encapsulado d

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    BFT25A,215
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    1758051

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 5 V, 5 GHz, 32 mW, 6.5 mA, 80 hFE

    TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:5V; Frecuencia de Transición ft:5GHz; Disipación de Potencia Pd:32mW; Corriente de Colector DC:6.5mA; Ganancia de Corriente DC hFE:80hFE; Encapsulado del Transistor R

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    BCP54-10
    BCP54-10

    8734828

    NXP

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

    TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:45V; Frecuencia de Transición ft:180MHz; Disipación de Potencia Pd:640mW; Corriente de Colector DC:1A; Ganancia de Corriente DC hFE:63hFE; Diseño de Transistor:SOT-22

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    1349659

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 9GHZ, SOT-343; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:9GHz; Disipación de Potencia Pd:500mW; Corriente de Colector DC:120mA; Ganancia de Corriente DC hFE:120hFE; Encapsulado del Tra

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    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

    TRANS NPN 10V 150MA SOT223; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:18V; Frecuencia de Transición ft:4GHz; Disipación de Potencia Pd:1W; Corriente de Colector DC:150mA; Ganancia de Corriente DC hFE:70hFE; Encapsulado del Transistor

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    1212471

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

    TRANSISTOR RF, NPN, SOT-223; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:9.5V; Frecuencia de Transición ft:900MHz; Disipación de Potencia Pd:2W; Corriente de Colector DC:500mA; Ganancia de Corriente DC hFE:25hFE; Encapsulado de Transist

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    1081188

    NXP

    Diodo de Señal Pequeña, Único, 35 V, 100 mA, 1.2 V

    DIODO, BAND, CONMUTACIÓN; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:35V; Corriente Directa If(AV):100mA; Tensión Directa VF Máx.:1.2V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:-; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:-; Tempera

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    1349660

    NXP

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 9GHZ, SOT-323; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:15V; Frecuencia de Transición ft:9GHz; Disipación de Potencia Pd:500mW; Corriente de Colector DC:120mA; Ganancia de Corriente DC hFE:120hFE; Encapsulado del Tra

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    1349651

    NXP

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

    DIODO, VARICAP, SOD323; Capacidad Cd Max a Vr F:17pF; Corriente Directa If(AV):20mA; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:30V; Temperatura de Trabajo Máx.:125°C; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOD-323; Núm. de Pines:2 Pines; Empaquetado:Cinta Cortada; Ra

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