Semiconductores - Discretos

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MBR0540T1G
MBR0540T1G

9556923

ON SEMICONDUCTOR

Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 510 mV

DIODE, SCHOTTKY, 0.5A, 40V, SOD-123; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:40V; Corriente Directa If(AV):500mA; Configuración de Diodo:Único; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOD-123; Número de Pines:2Pines; Tensión Directa VF Máx.:510mV; Corriente Directa

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1N5339BG
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9557962

ON SEMICONDUCTOR

Diodo Zener Simple, 5.6 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pines, 200 °C

DIODE, ZENER, 5.6V, 5W, 017AA; Tensión Zener Vz Típ.:5.6V; Disipación de Potencia Pd:5W; Estilo de la Carcasa del Diodo:017AA; Tolerancia Zener ±:5%; Número de Pines:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:200°C; Empaquetado:Individual; Rango de Producto:1N5

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BAS16LT3G
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2317451

ON SEMICONDUCTOR

Diodo de Señal Pequeña, Único, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

DIODE, SMALL SIGNAL, 75V, SOT-23-3; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:75V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:1.25V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:6ns; Corriente Directa Transitoria Ifsm Má

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BC817-25LT3G
BC817-25LT3G

2533301

ON SEMICONDUCTOR

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, SOT-23-3; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:45V; Frecuencia de Transición ft:100MHz; Disipación de Potencia Pd:225mW; Corriente de Colector DC:500mA; Ganancia de Corriente DC hFE:40hFE; Diseño de T

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MBR0540T3G
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2101839

ON SEMICONDUCTOR

Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 620 mV

DIODE, SCHOTTKY, 0.5A, 40V, SOD-123; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:40V; Corriente Directa If(AV):500mA; Configuración de Diodo:Único; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOD-123; Número de Pines:2Pines; Tensión Directa VF Máx.:620mV; Corriente Directa

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MBR130T1G
MBR130T1G

1431045

ON SEMICONDUCTOR

Rectificador Schottky, 30 V, 1 A, Único, SOD-123, 2 Pines, 450 mV

DIODE, SCHOTTKY, 1A, 30V, SOD-123; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:30V; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOD-123; Número de Pines:2Pines; Tensión Directa VF Máx.:450mV; Corriente Directa Trans

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BC846BLT3G
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2533304

ON SEMICONDUCTOR

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 65 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 65V, SOT-23-3; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:65V; Frecuencia de Transición ft:100MHz; Disipación de Potencia Pd:225mW; Corriente de Colector DC:100mA; Ganancia de Corriente DC hFE:200hFE; Diseño de

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MBRS140T3G
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9557237

ON SEMICONDUCTOR

Rectificador Schottky, 40 V, 1 A, Único, DO-214AA, 2 Pines, 600 mV

DIODE, SCHOTTKY, 1A, 40V, DO-214AA; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:40V; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Estilo de la Carcasa del Diodo:DO-214AA; Número de Pines:2Pines; Tensión Directa VF Máx.:600mV; Corriente Directa Tra

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    MURS120T3G
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    9557458

    ON SEMICONDUCTOR

    Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 1 A, Único, 875 mV, 35 ns, 40 A

    DIODE, ULTRAFAST, 1A, 200V, SMB; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:200V; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Directa VF Máx.:875mV; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:35ns; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:4

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    MMBT3906LT3G
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    2630346

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 30 hFE

    TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP,-40V, SOT-23-3; Transistor, Polaridad:PNP; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:-40V; Frecuencia de Transición ft:250MHz; Disipación de Potencia Pd:225mW; Corriente de Colector DC:-200mA; Ganancia de Corriente DC hFE:30hFE; Diseño de

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    BAW56LT3G
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    2535688

    ON SEMICONDUCTOR

    Diodo de Señal Pequeña, AEC-Q101, Anodo Común Doble, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A

    DIODO CONMUTACIÓN, 70V, 0.2A, SOT-23; Configuración de Diodo:Anodo Común Doble; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:70V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:1.25V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:6ns; Corriente Directa Trans

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    MMBT4403LT3G
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    2533332

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor de Unión Bipolar Único, AEC-Q101, PNP, -40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 20 hFE

    TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -40 V; Transistor, Polaridad:PNP; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:-40V; Frecuencia de Transición ft:200MHz; Disipación de Potencia Pd:225mW; Corriente de Colector DC:-600mA; Ganancia de Corriente DC hFE:20hFE; Diseño de Transis

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    MMBT4401LT3G
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    2317550

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 20 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, SOT-23-3; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:40V; Frecuencia de Transición ft:250MHz; Disipación de Potencia Pd:225mW; Corriente de Colector DC:600mA; Ganancia de Corriente DC hFE:20hFE; Diseño de Tra

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    BSS138LT3G
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    2101819

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor MOSFET, Canal N, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

    MOSFET, N CH, 50V, 0.2A, SOT-23; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:200mA; Tensión Drenador-Fuente (Vds):50V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):5.6ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):2.75V; Tensión Umbral Vgs:500mV; Dis

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    BC856BM3T5G
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    2533313

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -65 V, 100 MHz, 265 mW, -100 mA, 220 hFE

    TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -65V, SOT-723-3; Transistor, Polaridad:PNP; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:-65V; Frecuencia de Transición ft:100MHz; Disipación de Potencia Pd:265mW; Corriente de Colector DC:-100mA; Ganancia de Corriente DC hFE:220hFE; Diseño

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    MMBT2907ALT3G
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    2533328

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor de Unión Bipolar Único, AEC-Q101, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -60 V; Transistor, Polaridad:PNP; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:-60V; Frecuencia de Transición ft:200MHz; Disipación de Potencia Pd:225mW; Corriente de Colector DC:-600mA; Ganancia de Corriente DC hFE:50hFE; Diseño de Transis

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    1SMB5919BT3G
    1SMB5919BT3G

    1431162

    ON SEMICONDUCTOR

    Diodo Zener Simple, Propósito General, 5.6 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 Pines, 150 °C

    DIODE, ZENER, 5.6V, 3W; Tensión Zener Vz Típ.:5.6V; Disipación de Potencia Pd:3W; Estilo de la Carcasa del Diodo:DO-214AA; Tolerancia Zener ±:5%; Número de Pines:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:150°C; Empaquetado:Cinta Cortada; Rango de Producto:1SMB

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    MMSZ3V0T1G
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    2535683

    ON SEMICONDUCTOR

    Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 3 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pines, 150 °C

    DIODO ZENER, 3 V, SOD-123; Tensión Zener Vz Típ.:3V; Disipación de Potencia Pd:500mW; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOD-123; Tolerancia Zener ±:5%; Número de Pines:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:150°C; Empaquetado:Cinta Cortada; Rango de Producto:M

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    1N5341BG
    1N5341BG

    9557989

    ON SEMICONDUCTOR

    Diodo Zener Simple, 6.2 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    DIODE, ZENER, 6.2V, 5W; Tensión Zener Vz Típ.:6.2V; Disipación de Potencia Pd:5W; Estilo de la Carcasa del Diodo:017AA; Tolerancia Zener ±:5%; Número de Pines:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:200°C; Empaquetado:Individual; Rango de Producto:1N53 Serie

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    MMBT2222ALT3G
    MMBT2222ALT3G

    2627984

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.225W SOT-23; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:40V; Frecuencia de Transición ft:300MHz; Disipación de Potencia Pd:225mW; Corriente de Colector DC:600mA; Ganancia de Corriente DC hFE:40hFE; Diseño de Trans

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    MMBT3416LT3G
    MMBT3416LT3G

    2727982

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 225 mW, 100 mA, 75 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 0,1A, SOT-23; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:40V; Frecuencia de Transición ft:-; Disipación de Potencia Pd:225mW; Corriente de Colector DC:100mA; Ganancia de Corriente DC hFE:75hFE; Diseño de Transistor:

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    MJD44H11G
    MJD44H11G

    9557806

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor de Unión Bipolar Único, Audio, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:80V; Frecuencia de Transición ft:85MHz; Disipación de Potencia Pd:20W; Corriente de Colector DC:8A; Ganancia de Corriente DC hFE:60hFE; Diseño de Transistor:TO-252; Númer

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    2533389

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    Diodo de Señal Pequeña, Serie doble, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

    DIODO CONMUTACIÓN, 100V, 0.215A, SOT-23; Configuración de Diodo:Serie doble; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:100V; Corriente Directa If(AV):215mA; Tensión Directa VF Máx.:1.25V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:6ns; Corriente Directa Transit

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    2533302

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    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, SOT-23-3; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:45V; Frecuencia de Transición ft:100MHz; Disipación de Potencia Pd:225mW; Corriente de Colector DC:500mA; Ganancia de Corriente DC hFE:40hFE; Diseño de T

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    2724475

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, 50 V, 100 mA, 47 kohm, SC-59

    TRANS, AEC-Q101, NPN, 50V, 0.1A, SC-59; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:50V; Intensidad de Collector Continua Ic:100mA; Resitencia Básica de Entrada R1:47kohm; Resistor R2 Base-Emisor:-; Ratio de la Resistencia, R1 / R2:-; Encapsulado de Transistor RF:S

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