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  Referencia del fabricante Código Farnell Fabricante / Descripción
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NTMFS5C410NT1G
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2677177

ON SEMICONDUCTOR

Transistor MOSFET, Canal N, 300 A, 40 V, 0.00076 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, CANAL N, 40V, 300A, DFN; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:300A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):40V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.00076ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:3.5V; D

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NTMFS5C426NT1G
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2677178

ON SEMICONDUCTOR

Transistor MOSFET, Canal N, 235 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, CANAL N, 40V, 235A, DFN; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:235A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):40V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0011ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:3.5V; Di

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NTMFS5C430NT1G
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2677179

ON SEMICONDUCTOR

Transistor MOSFET, Canal N, 185 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, CANAL N, 40V, 185A, DFN; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:185A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):40V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0014ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:3.5V; Di

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NTMFS5C450NT1G
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2677181

ON SEMICONDUCTOR

Transistor MOSFET, Canal N, 102 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, CANAL N, 40V, 102A, DFN; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:102A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):40V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0027ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:3.5V; Di

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NTMFS5C404NT1G
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2677176

ON SEMICONDUCTOR

Transistor MOSFET, Canal N, 378 A, 40 V, 0.00057 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, CANAL N, 40V, 378A, DFN; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:378A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):40V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.00057ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:4V; Dis

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NTMFS5H600NLT1G
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2677182

ON SEMICONDUCTOR

Transistor MOSFET, Canal N, 250 A, 60 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V

MOSFET, CANAL N, 60V, 250A, DFN; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:250A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0011ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2V; Disi

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NTMFS5C442NT1G
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2677180

ON SEMICONDUCTOR

Transistor MOSFET, Canal N, 140 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, CANAL N, 40V, 140A, DFN; Polaridad de Transistor:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:140A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):40V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0019ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:4V; Disi

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